硅片甩干機(jī)的Si片內(nèi)部的原子排列整齊有序,每個(gè)Si原子的4個(gè)價(jià)電子與周圍原子的價(jià)電子結(jié)合構(gòu)成共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)。但是經(jīng)過切割工序后,Si片表面垂直切片方向的共價(jià)鍵遭到破壞而成為懸空鍵，這種不飽和鍵處于不穩(wěn)定狀態(tài),具有可以俘獲電子或其他原子的能力,以減低表面能,達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)。

 

　　當(dāng)周圍環(huán)境中的原子或分子趨近晶片表面時(shí),受到表面原子的吸引力,容易被拉到表面,在Si晶片表面富集,形成吸附,從而造成污染。理想表面實(shí)際是不存在的,實(shí)際的Si片表面一般包括三個(gè)薄層:加工應(yīng)變層、氧化層和吸附層,在這三層下面才是真正意義上的晶體Si。

 

　　對(duì)于太陽能用Si片來說,加工應(yīng)變層是指在線切工藝時(shí)所產(chǎn)生的應(yīng)變區(qū),氧化層指新切出的表面與大氣接觸造成的氧化薄膜,厚度在幾納米到幾十納米之間,和留置在空氣中的時(shí)間有關(guān),這也是切割后的Si片如果不能馬上進(jìn)入下一工序,要盡快浸泡到純水中的原因。硅片甩干機(jī)的Si片表面zui外層即為吸附層,是氧化層與環(huán)境氣氛的界面,吸附一些污染雜質(zhì)。這些沾污可以分為分子、離子、原子或者分為有機(jī)雜質(zhì)、金屬和粒子。